据前人Gupta的研究,北京Cl2转化为HCl的反应速率可达0.41× 10-6 molcm-2 s-1。
而CVD生长可通过调节生长化学过程更好地控制杂质的掺入,电力并通过各种工艺方法,从而能够提供适用于金刚石光电应用的高质量大尺寸单晶金刚石。所以,交易2家减少为实现大规模集成电路制造,高质量、大尺寸的金刚石单晶衬底的生长是至关重要的。
本内容为作者独立观点,中心自身自愿不代表材料人网立场。金刚石接合型成场效应管、售电申请肖特基势垒二极管和MOSFET等即使在高温下也可以具有相当高的电学性能[2]。金刚石肖特基势垒二极管(SBD)与结构示意图金刚石功率器件可大大提高,公司尤其是在高温下功率转换器的性能。
金属铱Ir是目前唯一可实现高质量、由于原因业务大尺寸金刚石薄膜异质外延的衬底材料,但对于大多数应用而言,缺陷密度仍然很高。由于晶界散射和杂质耦合的影响,范围多晶金刚石波导的传播损耗将更高,而多晶金刚石中的晶界将导致单光子源信号的背景噪声更高。
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